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在电动工具、 园艺工具和吸尘器等家电中，使用低电压（2至10节）锂离子电池供电的电机驱动，这些工具使用有刷直流（bdc）或三相无刷直流（bldc）电机。bldc电机效率更高、维护少、噪音小、使用寿命更长。驱动电机功率级的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散热性能好、保护可靠、峰值电流承载能力强。小尺寸可实现工具内的功率级的灵活安装、更好的电路板布局性能和低成本设计，高效率可提供最长的电池寿命并减少冷却工作。可靠的操作和保护可延长使用寿命，有助于提高产品声誉。

为在两个方向上驱动bdc电机，您需要使用两个半桥（四个金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet））组成一个全桥。要驱动三相bldc电机，需要使用三个半桥（六个mosfet）组成一个三相逆变器。 使用ti的采用堆叠管芯架构的csd88584q5dc 和csd88599q5dc模块电源（小型无引线（son），5mm×6mm封装），您可通过两个模块电源和只带三个模块电源的三相bldc电机在两个方向驱动电机，每个模块电源连接两个mosfet（高侧和低侧mosfet），组成一个半桥。如下图所示。

功率密度倍增 csd885x功率块中的双重堆叠芯片技术使印刷电路板（pcb）面积达到了之前的两倍，与分立mosfet相比，pcb占地面积减少了50%。与相同性能级别的分立mosfet（5mm×6mm）相比，在同一封装中集成两个fet的功率块可让用于逆变器拓扑的三相pcb面积减少90 mm2（3 x 5mm-6mm）。mosfet互连轨道将与在带分立mosfet的pcb中运行，而更高的工作电流也要求更宽的pcb轨迹，因此pcb尺寸的节省值实际上远超90 mm2。大多数无绳电动工具应用至少使用四层pcb，铜厚度大于2盎司。因此，通过模块电源节省pcb尺寸可大大节省pcb成本。

具有低寄生效应的清洁mosfet开关如上图所示，为功率级pcb设计中由元件引线和非优化布局引起的寄生电感和电容。这些pcb寄生效应会导致电压振铃，从而导致mosfet上的电压应力。振铃的原因之一是二极管反向恢复，由快速开关引起的高电流变化率可能导致高二极管反向恢复电流。反向恢复电流流经寄生布局电感，由fet电容和寄生电感形成的谐振网络引起相位节点振铃，减少了电压裕度并增加了器件的应力。

上图所示为由于电路寄生效应引起的具有分立mosfet的相位节点电压振铃，使用模块电源时，具有连接两个mosfet的开关节点夹将高侧和低侧mosfet之间的寄生电感保持在绝对最小值。在同一封装中使用低侧和高侧fet可最大限度地减少pcb寄生，并减少相节点电压振铃。使用这些模块电源有助于确保平滑的驱动mosfet开关，即使在电流高达50a时也不会出现电压过冲，如下图所示。

低pcb损耗，pcb寄生电阻降低，功率块有助于减少pcb中高电流承载轨道的长度，从而减少轨道中的功率损耗。让我们了解分立fet的pcb轨道要求，顶部和底部分立mosfet之间的pcb轨道连接导致pcb中的i2r损耗。

上图所示为将顶部和底部分立mosfet并排连接时的铜轨道，这是可将电机绕组连轻松连接到pcb的常见布局之一。连接相位节点的铜面积的长度为宽度的两倍（轨道宽度取决于电流，轨道宽度通常受电路板的外形尺寸限制）。或者您可以上下排列顶侧和底侧分立mosfet，保持在相位节点之间。但是由于需要提供将电机绕组连接到相位节点，您可能无法减少轨道长度，并且这种布置可能不适合所有应用。

若设计的pcb铜厚度为2oz（70μm），则连接图所示的相位节点的单层pcb轨道将具有约0.24mω的电阻。假设轨道存在于两个pcb平面中，则等效pcb电阻为0.12mω。对于三相功率级，您有三个这样的pcb轨道。您也可对直流电源输入和返回轨道进行类似的分析。模块电源具有单个封装中的顶侧和底侧mosfet，以及通过封装内的金属夹连接的相位节点，可优化寄生电阻，并为布局提供灵活性，并可节省最小的0.5至1mω的总pcb电阻。

卓越的散热性能，双重冷却csd885x模块电源采用dualcool™封装，可在封装顶部实现散热，从而将热量从电路板上散开，提供出色的散热性能，并提高在5mm×6mm封装中的功率。根据数据手册规范，功率块具有1.1°c/w的结到底壳体热阻，和2.1°c/w的结到顶壳体的热阻。您可优化功率块底壳的pcb或功率块的顶盖的散热片的冷却功能。

上图所示为在1kw，36v三相逆变器pcb（36mm×50mm）内使用三个csd88599q5dc双冷60v模块电源测试的顶侧公共散热器（27mm×27mm×23mm）的结果，不带任何气流。在测试期间，散热器和功率块顶壳之间使用具有低热阻抗（rθ<0.5°c / w）的电绝缘热接口。

在图中您可看到顶侧冷却的有效性，其中pcb上观察到的最大温度（功率块底壳之下）与散热器温度之间的差异小于11°c。热量传导良好，并通过模块电源的顶部冷却金属焊盘分配到顶侧散热器。顶侧和底侧fet之间的热量共享，在单相或三相逆变器中，顶侧和底侧mosfet的损耗可能不同。这些损耗通常取决于脉宽调制拓扑的类型和工作占空比，不同的损耗导致顶侧和底侧mosfet的加热不同。

在系统设计中使用分立mosfet时，可以尝试这些不同的方法来平衡顶侧和底侧fet之间的温度，为mosfet使用不同的冷却区域，并为具有更大损耗的mosfet提供更多的pcb铜面积或散热器。根据其额定电流，为顶侧和底侧的mosfet使用不同的器件。例如您可使用具有较小导通状态导通电阻（r ds_on）的器件，用于承载更多电流的mosfet。当mosfet变热时，这些方法不会提供最佳冷却，这取决于工作占空比，导致pcb面积或mosfet额定值利用不足。使用功率块mosfet，其中顶侧和底侧mosfet处于同一封装中，从而实现顶侧和底侧mosfet之间的自动热共享，并提供更好的热性能和优化的系统性能。

系统成本低，可通过在设计中使用功率块mosfet来优化系统成本。如果文中所述的所有优势均达成的话，即可降低成本。一半的百家乐凯发k8的解决方案尺寸，大大降低pcb成本。低寄生效应可实现更可靠的百家乐凯发k8的解决方案，其具有更长的寿命且维护少。 降低pcb轨道长度会降低pcb电阻，从而通过较小的散热器降低损耗，提高效率。卓越的热性能可提高冷却效果，mosfet功率块有助于实现更可靠、更小尺寸、高效率和具有成本竞争力的系统百家乐凯发k8的解决方案。